如何使鍍銅中能得到光亮整平的鍍層？
電鍍層在結晶過程中，當有添加劑加入的情況下，會呈現出與通常情況下不同的生長特點。通常情況下，鍍層的結
晶成長速度與電流密度成正比，隨著時間的延長，高電流區(qū)的鍍層會越來越厚。這樣即使在平板形的基體上，四周
邊角的鍍層也會比中間部位要厚，對高低不產的基體，這種鍍層會擴大這種不平性，這就是所謂的同何整平作用。
在酸性光亮劑鍍銅中，像H/S/和CI這些添加物在陰極的高電流區(qū)起到阻擋鍍層結晶生長的作用，使鍍層在低電流
區(qū)的沉積速度大于高電流區(qū)。以一種V形坑為例，在添加劑的作用下，坑內和坑底的鍍層的生長的速度會大于坑邊和
坑外的鍍層，一定時間后這個坑會由于坑內鍍層的生長而被填平，這就是正整平作用,添加劑除了有這種正整平作用
外，還使結晶過程中晶核的產生速度大于其長大成長的過程，這會使鍍層的結晶變得細小，從而達成對光全反射的
程度。因此，在酸性光亮鍍銅中可以得到光亮整平的鍍層，其它光亮劑的作用機理大致也是這樣的
網站地圖
在線留言
聯系華越
151-2357-7136